大家好,小百来为大家解答以上的问题。nor flash和nand flash的应用，nor flash和nand flash的区别这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧！

1、一、NAND flash和NOR flash的性能比较NOR的读速度比NAND稍快一些。

2、2、NAND的写入速度比NOR快很多。

3、3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

4、4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。

5、5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

6、二、NAND flash和NOR flash的接口差别NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

7、NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。

8、8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

9、NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

10、三、NAND flash和NOR flash的容量和成本NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。

11、四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。

12、对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。

13、可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

14、五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。

15、NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

16、六、位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。

17、在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。

18、一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。

19、如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。

20、当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。

21、位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用七、EDC/ECC算法这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。

22、当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

23、八、坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。

24、以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。

25、NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。

26、在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。

27、九、易于使用可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。

28、由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。

29、各种NAND器件的存取方法因厂家而异。

30、在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。

31、向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

32、十、软件支持当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。

33、在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

34、使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。

35、驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

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